尔必达和夏普合作研制下一代内存

据外媒报道，著名内存厂商尔必达将和夏普合作研制下一代记忆体，新型记忆体预计将在2013年商品化。
   
    尔必达和夏普合作研制的新型记忆体为ReRAM（Resistance Random Access Memory，可变电阻式记忆体），较NAND闪存，ReRAM具有耗电小，数据写入速度高的特点。据说ReRAM的写入速度为NAND闪存的10000 倍，如果便携机器采用ReRAM芯片，数秒钟内可下载一部高清视频，而且待机时的功耗将接近零功耗。

    除了尔必达和夏普，参加ReRAM合作开发的单位还包括产业技术综合研究所，东京大学，以及一些半导体制造装置的生产厂家。

    据尔必达内部消息，如果研究顺利的话，ReRAM将于2013年量产。

    小评：
    随着便携设备的普及，消费者对高速 / 轻量记忆体的需求日益扩大，为了取得未来存储产业的制高点，各大厂商可谓搞尽脑汁。除了尔必达和夏普，东芝正在开发多层构造的新型闪存。而三星则大力开发包括ReRAM，PRAM和MRAM等新型记忆体，声势颇为浩大。

好东西啊