三星发表64GBit容量3bit/cell闪存

据媒体报道，近日韩国三星电子（Samsung Electronics）公布了64Gbit容量的3bit/cell NAND闪存。

    故名思义，3bit/cell就是单个的记录单元可以记录3bits的数据，也就是0~7之间的数值。这样一来，同样是单个单元，记录的数据量是SLC的4倍，MLC（2bit/cell）的两倍，大大提高闪存的记录密度。
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    三星电子将在20nm的制程下生产该新型芯片，较30nm制程下的32Gbit闪存产品，新型芯片的生产效率可提高60%，估计生产成本将大大的提高。

    另讯，三星电子将面向U盘，SD卡，智能电话，SSD等产品领域推广新型3bit/cell的闪存产品。

    编辑评论：
    从SLC到2bit/cell的MLC，然后到3bit/cell的新产品，为了追求更低的生产成本，闪存厂商正努力开发各种新技术，这是值得欣喜的事情。但同时，提高单个单元的储存容量，很可能带来寿命低减的问题，不知道三星电子的新产品能给消费者多长的保证呢？关注！（welcome to wslee‘s blog）