英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

8月12消息，英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。




美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck说，虽然在一个存储单元加入更多比特的数据能够提供更大的数据密度，但是，这种做法没有基于更标准的技术的闪存那样可靠。因此，每个储存单元3比特的芯片最初将仅限于应用到优盘。优盘没有要求固态硬盘的那种数据存储可靠性。固态硬盘一般用于笔记本电脑和服务器的主要存储设备。




半导体市场研究公司Objective Analysis的分析师Jim Handy在本周二发表的研究报告中说，这种芯片不适合所有的市场。这两家公司解释说，在他们有信心把这种芯片应用于固态硬件之前，他们还需要更多的大批量生产的经验。Handy说，固态硬盘用户记录数据的频繁程度要超过为数码相机购买优盘的消费者。




Handy补充说，他预计英特尔-美光芯片到2010年将给三星电子和海力士/Numonyx等闪存市场的其它厂商带来压力，并且有可能比竞争对手获得更多的利润。




美光目前提供这种芯片的样品，大批量生产将在今年第四季度。




SanDisk和东芝今年2月披露称他们已经开发出每个储存单元4比特的技术。这两家公司称这是闪存行业存储容量最大的闪存技术。